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到此，简单的可进行读写操作的 SDRAM 控制器模块就设计好了。
接下来，结合仿真模型（镁光官网提供的 SDRAM 模型）sdr文件，和编写的 testbench 文件验证所设计的控制器是否正确。
testbench如下
`timescale 1ns/1ns
`define CLK100_PERIOD 10
module sdram_control_tb;
`include "../src/Sdram_Params.h"//本地文件路径
reg Clk;
reg Rst_n;
reg Wr;
reg Rd;
reg [`ASIZE-1:0] Caddr;
reg [`ASIZE-1:0] Raddr;
reg [`BSIZE-1:0] Baddr;
reg [`DSIZE-1:0] Wr_data;
wire[`DSIZE-1:0] Rd_data;
wire Wr_data_vaild;
wire Rd_data_vaild;
wire sdram_clk;
wire sdram_cke;
wire sdram_cs_n;
wire sdram_ras_n;
wire sdram_cas_n;
wire sdram_we_n;
wire [`BSIZE-1:0] sdram_bank;
wire [`ASIZE-1:0] sdram_addr;
wire [`DSIZE-1:0] sdram_dq;
wire [`DSIZE/8-1:0]sdram_dqm;
assign sdram_clk = ~Clk;
wire Rdata_done;
//SDRAM 控制器模块例化
sdram_control sdram_control(
.Clk(Clk),
.Rst_n(Rst_n),
.Wr(Wr),
.Rd(Rd),
.Caddr(Caddr),
.Raddr(Raddr),
.Baddr(Baddr),
.Wr_data(Wr_data),
.Rd_data(Rd_data),
.Rd_data_vaild(Rd_data_vaild),
.Wr_data_vaild(Wr_data_vaild),
.Wdata_done(),
.Rdata_done(Rdata_done),
.Sa(sdram_addr),
.Ba(sdram_bank),
.Cs_n(sdram_cs_n),
.Cke(sdram_cke),
.Ras_n(sdram_ras_n),
.Cas_n(sdram_cas_n),
.We_n(sdram_we_n),
.Dq(sdram_dq),
.Dqm(sdram_dqm)
);
//SDRAM 模型例化
sdr sdram_model(
.Dq(sdram_dq),
.Addr(sdram_addr),
.Ba(sdram_bank),
.Clk(sdram_clk),
.Cke(sdram_cke),
.Cs_n(sdram_cs_n),
.Ras_n(sdram_ras_n),
.Cas_n(sdram_cas_n),
.We_n(sdram_we_n),
.Dqm(sdram_dqm)
);
initial Clk = 1'b1;
always #(`CLK100_PERIOD/2) Clk = ~Clk;
initial
begin
Rst_n = 0;
Wr = 0;
Rd = 0;
Caddr = 0;
Raddr = 0;
Baddr = 0;
Wr_data = 0;
#(`CLK100_PERIOD*200+1);
Rst_n = 1;
@(posedge sdram_control.sdram_init.Init_done)
#2000;
repeat(100) //写入 100 组数据
begin
Wr = 1;
Baddr = 2;
#`CLK100_PERIOD;
Wr = 0;
if(Caddr == 512-SC_BL)begin
Caddr = 0;
Raddr = Raddr + 1; //1 行写满，行加 1
end
else
Caddr = Caddr + SC_BL;
#5000; //延时 5us
end
Caddr = 0;
Raddr = 0;
#5000;
repeat(100) //读出 100 组数据
begin
Rd = 1'b1;
#`CLK100_PERIOD;
Rd = 1'b0;
if(Caddr == 512-SC_BL)begin
Caddr = 0;
Raddr = Raddr + 1; //1 行读完，行加 1
end
else
Caddr = Caddr + SC_BL;
#5000; //延时 5us
end
#5000;
$stop;
end
initial
begin
forever begin
@(posedge Wr_data_vaild);
repeat(SC_BL) //改变待(突发)写入的数据
begin
#`CLK100_PERIOD;
Wr_data = Wr_data + 1;
end
end
end
endmodule
这里仿真中 SDRAM 控制模块突发长度设置为 8，列选通潜伏期设置为 2。
本次仿真过程是向SDRAM中bank地址为2的块中写入100组突发长度的数据，然后读出这 100 组数据，写入数据在写数据有效区间内改变。观察比较写入与读出数据来验证控制设计是否正确。
仿真波形图：
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