1. 一定要有多子少子的概念，p类半导体多子是空穴，少子是电子，n类半导体多子是电子，少子是空穴。
7. 三极管be结正向偏置时，cb反向偏置时，e区的多子：自由电子会作为cb结p区的少子注入到cb区，而cb结的内电场使得be过来的自由电子极易通过，最终形成Ic。
8. 集电极电流和Uce没有关系，Uce的作用主要是维持bc结的反偏状态，满足三极管放大态的外部电路条件。
9. 三极管在饱和状态下，集电极电位很低甚至会接近或稍低于基极电位，集电结处于零偏置，但仍然会有较大的集电结的反向电流Ic产生。
参考：
http://wenku.baidu.com/link?url=zOLw5B1aS2Rrfn4qlegvfdQHGoeZVUI8mGaJaSnLDre_U3PvDx_6YJHjJykB-IsFomNUE5hI-R2_uI3gUcB5q-6hGxmhmv8xKMyM8KjKhie
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