- 在看这篇文章之前请务必确保掌握PN结、二极管原理详解与应用中的内容
- 对于三极管的符号、PNP和NPN的区别等基础知识这里不做讲解
1 原理
- 图中集电极电子应该画少点(掺杂少)，尺寸应画高些(体积大，不易发热)，后面会有说明
- 在某些晶体管中集电极掺杂浓度介于基极和发射极之间，而有些晶体管集电极掺杂比基极还少，所以没有硬性规定
（4）尺寸：集电极尺寸应该比基极大，这样电流流过时，不会那么容易发热；而基极为了高掺杂，所以不能太大。
2 特性
以下以共射极放大器为例分析
2.1 电流
从基极出来的电子和从集电极出来的电子最终都会回到发射极(B、E、C最终都接地)，当作注入电子。即IE=IB+IC。
2.2 输入特性：IB与UBE
- 当UBE<0.7V时，B和C极几乎没有电流
- UBE>0.7V时，IB激增，但是IB相对于IC来说还是很小。
- 如果增大UCE，则上面PN结的耗尽区增大，则UBE需要更大，IB的才会开始激增。但这个变化很小，所以可以认为UCE不影响UBE的大小。
2.3 输出特性：Ic与UCE
当UC的值低于0.7V时，上面的PN结正偏。假设是0.3V，UBC=0.7-0.3V=0.4V，耗尽区宽度减小，C极电子可能会扩散到B极，而E极扩散到B极的电子，还是会扩散到C极，但没以前那么容易了。所以此时IC会随着UCE的减小而减小。
2.4 放大、饱和、截止
如图所示，假设晶体管放大倍数为100倍，C极接3V然后一个1K电阻，此时C极最大电流ICmax=3mA。
（1）截止区：当UBE＜0.7V时截止，此时IB≈IC=0，C极电阻没有压降，所以UCE达到最大值3V
（2）放大区：UBE≈0.7V且β*IB
Cmax，前面说了这个压降几乎不受U
CE影响，对于Si一般是0.7V。此时，0V
CE<3V。
（3）饱和区：U BE≈0.7V且β*I B>I Cmax，由于C极电流不可能高于3mA，所以I C保持在最大3mA不能再升高，U CE=0。
开关作用：
- 饱和区时，C极电流最大、UCE=0，相当于CE极短路
- 截止区时，C极没有电流、UCE达到最大值，相当于CE极开路
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