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1、闪存基本介绍
Flash存储是存储界的新人和红人。Flash存储系统由于其优异的性能、高效的存储密度和出色的节能特性使得Flash存储有望替代机械磁盘成为企业级存储的核心。未来很有可能所有的数据都会存储在Flash存储介质上面，包括银行、中小企业、互联网、电信等存储大户。
紫外线可擦除存储器
当年沉迷于电子设计的时候，没有想到一个小小的Flash居然能够做成一个新兴的存储产业。做电子设计的时候，很多时候需要用到存储芯片，比较老的存储芯片如TI的27系列紫外线可擦除存储器。
该存储器需要通过紫外线照射的方式擦除已经存储的数据。也就是需要擦除数据的时候，将芯片放到太阳光底下去晒一段时间，晒完之后，存储在芯片内部的数据就没有了，芯片可以继续编程使用了。此类芯片使用非常麻烦，所以记得到2000年初的时候已经很少有人使用这种芯片了，取而代之用的最多的就是电可擦写存储器EEPROM。
电可擦写存储器EEPROM
EEPROM的典型代表是SPI接口的93CXX系列存储器，以及I2C接口的24CXX系列存储器。这些EEPROM容量都比较小，通常用来存储一些小容量数据，例如系统的配置信息。像网卡的配置信息、PCI桥的配置信息都存储在93C46之类的芯片中。
这种存储器一个比较好的特点是可以进行字节级编程，但是读写性能都很差。如果要进行大数据存储，是不能采用此类芯片的。例如，当初我设计一个收费站监控系统，需要存储一个月的营业额，那么需要采用大容量的可编程存储器进行数据存储。此时就需要采用Flash存储芯片了。
Flash存储芯片
和EEPROM相比，Flash存储芯片的一个特点是存储容量大，并且以块单元进行数据擦除操作，以Page页的方式进行数据读写。该类芯片都采用IO接口的方式与CPU相连，即通过命令的方式进行读写、擦除操作。
在电子设计的时候，使用Flash芯片最大的问题在于开发Flash的操作函数集，例如读page函数、写page函数、块擦除函数。在操作系统环境里，这些函数就构成了一个Flash芯片的驱动程序。此外，由于控制器通常采用GPIO和Flash相连，因此需要通过程序的方式模拟Flash接口时序。如果设计的板子上有FPGA/CPLD之类的可编程器件，那么可以通过Verilog/VHDL语言或者通过图形的方式设计一个Flash芯片的时序控制器，这样CPU控制器就无需采用软件方式模拟Flash时序了。
Flash的未来
在未踏入存储这个行业的时候，对NAND Flash也就是这个理解，仅仅是作为电子设计的一个大容量存储器而已，最多在嵌入式的环境下跑跑Flash的文件系统。但是，这么多年对存储进行深入研究、开发之后发现，NAND Flash的确拥有很多的优势，但是同时也存在很多的问题。如果想要将NAND Flash应用到企业级存储领域，那么面临的挑战将十分严峻。有一篇文章《采用NAND Flash设计存储设备的挑战在哪里 》也蜻蜓点水的分析了一下NAND Flash作为企业级存储介质存在的一些挑战，真正想把NAND Flash的特点发挥到极致，需要走的路还很长。
业内很多人都在研究Flash Translation Layer（FTL）算法，目的就是要把NAND Flash的问题屏蔽掉，然后对外提供标准的块设备接口，从而使得传统的应用软件可以直接在Flash上跑起来。
可以说FTL是Flash存储最底层的核心技术，其解决了不均衡的性能问题、写放大问题、块擦除的寿命问题。通过这些问题的解决，使得NAND Flash很多方面可以和传统的机械磁盘相媲美，在性能上远远超过传统硬盘。
到目前为止，个人认为FTL算法已经研究的相对很成熟了，所以，基于FTL的Flash盘应该说可以大规模应用了，其主要障碍就在于NAND Flash芯片成本了。
基于flash闪存存储系统重点
在企业级Flash存储中，仅仅有FTL算法是远远不够的。
基于Flash如何做盘阵？
基于Flash如果做文件系统？
基于Flash如果做大规模存储系统？
这些存储级别的问题还没有得到完美的解决。
个人认为，在Flash存储这一块，RAID技术、文件系统、互连技术、多处理器并行（集群）处理技术应该是研发攻关的重点。
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