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1．截止状态：当b-e结反偏、零偏、浅正偏(指琐然正偏，似正向压降小于门槛电压)时Ib=0．Ic=Ice≈0,三极管截止，此时Rce内阻为无穷大，Vce约等于电源电压。
2．导通放大状态：当be正偏、bc反偏；且Vbe大于门槛电压时为导通放大状态，此时Vc>Vb>Ve．且Vbe=0.7V。导通后Rce减小，导通越深，Rce内阻越小．Vce越小。在放大状态，Ib能控制Ic．即具有电流放大作用(实质上是以小控大)。
3．饱和状态：．当导通加深，使Vc小于Vb至集电结刚好达到正偏（不是Vbc>0,而是Vbc=Vbc(on),NPN硅管Vbc(on)=0.4V)事，三极管处于临界饱和。临界点特点：1:Vce很小约0.3V(Vce(sat)=Vcb+Vbe=-Vbc+Vbe=-0.4+0.7=0.3V)，因此相当于C,E极间短路或电阻很小。2：Vce很小变化就使Ice急剧改变3：Ib与Ic在临界时仍可用Ic=βIb,但进入饱和Ic<βIb.
当进入饱和时，be、bc均正偏，且Vbe约0.7V，Vces(饱和压降)降至最小，约0.1~0.3V，Rce最小，Ic最大，Ib不能再控制k，即三极管失去了电流放大能力。
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