1.按制造工艺：半导体存储器可分为“双极型”器件和“MOS型”器件。
（1）双极型器件具有存取速度快的优势，主要用于要求读写速率很高的存储场合；但是集成度低，功耗大，成本高是很大的缺点；
（2）MOS型器件虽然速度较双极型慢，但是集成度高，功耗低，价格便宜等优势，所以成为微机系统的主要存储器。
2.按连接方式：半导体存储器可分为“并行”芯片和“串行”芯片。
（1）并行连接的存储器芯片设计有类似微处理器地址总线和数据总线引脚，使用较多的地址和数据引脚可以并行传输存储器地址和数据，以获得较高的传送速率，是通用微机系统的主要存储器。
（2）串行连接的存储器芯片主要采用2线制的I^2C总线接口和3线制的SPI总线接口，只能串行传输存储器地址和数据，但引脚可以减少封装面积，便于嵌入式系统中使用。
3.按存取方式：半导体存储器采用随机存取方式。
（1）随机存取：表示可以从任意位置开始读写，存取位置可以随机确定，只要给出存取位置就可以读写内容，存取时间与所处位置无关。
（2）顺序存取：表示必须按照存储单元的顺序读写，存取时间与所处位置密切相关，例如，磁带存储器采用的就是顺序存取方式。磁盘和光盘则采用直接存取方式，磁头以随机方式寻道，以数据块为单位顺序方式读写扇区。
4.按照半导体存储器读写的特点和易失性质：分为随机存取存储器（RAM）和只读存储器（ROM）两类。
（1）随机存取存储器：静态RAM（SRAM）和动态RAM（SRAM）。
（2）只读存储器：掩膜ROM，一次性可编程ROM（PROM），可擦除可编程ROM（EPROM），电擦除可编程ROM（EEPROM），闪速存储器(Flash Memory).
来自《16/32微机原理，汇编语言及接口技术教程》
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