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内存延迟表示系统进入数据存取操作就绪状态前等待内存相应的时间，它通常用4个连着的阿拉伯数字来表示，例如“3-4-4-8”，一般而言四个数中越往后值越大，这4个数字越小，表示内存性能越好。由于没有比2-2-2-5更低的延迟，因此国际内存标准组织认为以现在的动态内存技术还无法实现0或者1的延迟。但也并非延迟越小内存性能越高，因为CL-TRP-TRCD-TRAS这四个数值是配合使用的，相互影响的程度非常大，并且也不是数值最大时其性能也最差，那么更加合理的配比参数很重要。
第一个数字最为重要，表示注册读取命令到第一个输出数据之间的延迟（CAS Latency），即CL值，单位是时钟周期。这是纵向地址脉冲的反应时间。
第二个数字表示从内存行地址到列地址的延迟时间（RAS to CAS Delay），即tRCD。
第三个数字表示内存行地址控制器预充电时间（RAS Precharge），即tRP。指内存从结束一个行访问到重新开始的间隔时间。
第四个数字表示内存行地址控制器激活时间Act-to-Precharge Precharge Delay（tRAS）
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