主要特点：
1、12位ADC。
2、8通道单端输入模式。（一次只能测一个通道电压，值都存在ACCRH、ACCRL）
3、内部带隙电压(band-gap voltage)为1.22V，可作为内部参考电压
4、启动方式：软件启动、硬件触发方式启动
ADC模块结构图
实例
不多说了，直接贴代码，实现的功能为使用内部参考电压测VCC电压值。
void main(void) { uint16_t BandGap_H, BandGap_L, AIN3_H, AIN3_L; uint16_t BandGap_v; uint32_t AIN3_v = 0; uint16_t voltage = 0; while(1) { Enable_ADC_BandGap; clr_ADCF; set_ADCS; // Each time ADC start trig signal while(ADCF == 0); clr_ADCF; set_ADCS; // Each time ADC start trig signal while(ADCF == 0); clr_ADCF; set_ADCS; // Each time ADC start trig signal while(ADCF == 0); BandGap_H = ADCRH; BandGap_L = ADCRL; BandGap_v = BandGap_H << 4 | BandGap_L; //printf ("\n Value = 0x%bx",ADCRH); //printf ("\n Value = 0x%bx",ADCRL); Enable_ADC_AIN3; clr_ADCF; set_ADCS; // Each time ADC start trig signal while(ADCF == 0); AIN3_H = ADCRH; AIN3_L = ADCRL; AIN3_v = AIN3_H << 4 | AIN3_L; //printf ("\n AIN3 Value = 0x%bx",ADCRH); //printf ("\n AIN3 Value = 0x%bx",ADCRL); voltage = (uint16_t)((uint32_t)AIN3_v * 1220 / BandGap_v ); Timer0_Delay1ms(1000); } }注意事项:
这里多次测内部产考电压的原因是:
连续（不延时）多次读取band-gap voltage的值 与 单次读取然后延时再次读取到的值不同，而且延时时间不同，读取到的值也不同（相当无语）
例如下面两段代码：
Enable_ADC_BandGap; //Find in "Function_define.h" - "ADC INIT" while(1) { clr_ADCF; set_ADCS; // Each time ADC start trig signal while(ADCF == 0); BandGap_H = ADCRH; BandGap_L = ADCRL; Timer0_Delay1ms(1000); }Enable_ADC_BandGap; //Find in "Function_define.h" - "ADC INIT" while(1) { clr_ADCF; set_ADCS; // Each time ADC start trig signal while(ADCF == 0); BandGap_H = ADCRH; BandGap_L = ADCRL; //Timer0_Delay1ms(1000); }加延时和不加延时读出来的值是不一样的，实测不加延时读出来的比较准确。所以实例中使用的小技巧是连续读3次内部参考电压后再测vcc，当然具体多少次自己定义。
实验结果
vcc万用表测得的电压为3.3v，adc测得的电压为3.27v左右，误差30mv左右。
最后说一句，假如vcc不固定的，想用内部参考电压，但要求精度高的方案，慎用这款mcu
也许有错误，望大家指正，不胜感激！
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